حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 1mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (64 x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (64 x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 5M (256K x 20)(512K x 10), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 4.5ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 36K (4K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 22.22MHz, وقت الوصول: 35ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 120mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 1mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 4.5M (64K x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 1mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (256 x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 28.5MHz, وقت الوصول: 25ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 80mA,
حجم الذاكرة: 640K (32K x 20)(64K x 10), دور: Synchronous, معدل البيانات: 200MHz, وقت الوصول: 3.6ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (32K x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 2.5M (128K x 20)(256K x 10), دور: Synchronous, معدل البيانات: 200MHz, وقت الوصول: 3.6ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (64 x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (32K x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 1mA,
حجم الذاكرة: 16K (1K x 16), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 50ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 4.5M (64K x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 640K (32K x 20)(64K x 10), دور: Synchronous, معدل البيانات: 150MHz, وقت الوصول: 3.8ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 1mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (32K x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 2.5M (128K x 20)(256K x 10), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 4.5ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 28.5MHz, وقت الوصول: 25ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 80mA,
