حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 576K (32K x 18)(64K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (32K x 18)(64K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (32K x 18)(64K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (64K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (128K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (64K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (64K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (128K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (32K x 18)(64K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (32K x 18)(64K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 72k (1k x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 18K (2K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 150mA,
حجم الذاكرة: 36K (1K x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 36K (1K x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 1.152M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.152M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.152M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (256K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (128K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (128K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 288K (8K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
