حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 36K (1K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 72K (2K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 4.6K (256 x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 125mA,
حجم الذاكرة: 4.6K (256 x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 125mA,
حجم الذاكرة: 4.6K (256 x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 125mA,
حجم الذاكرة: 18K (256 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 4.6K (256 x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 125mA,
حجم الذاكرة: 4.6K (256 x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 125mA,
حجم الذاكرة: 4.6K (256 x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 125mA,
حجم الذاكرة: 144K (16K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 75mA,
حجم الذاكرة: 4.6K (256 x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 125mA,
حجم الذاكرة: 9K (256 x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (256 x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 25MHz, وقت الوصول: 30ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA (Typ),
