حجم الذاكرة: 1.152M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.152M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 144K (4K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 144K (4K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 144K (4K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 36K (512 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 36K (512 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 288K (8K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 288K (8K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 16K (1K x 16), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 25ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 288K (8K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 288K (8K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
