الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 11

BCX5216H6327XTSA1

جزء الأسهم: 166301

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX5616H6327XTSA1

جزء الأسهم: 165579

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX5610H6327XTSA1

جزء الأسهم: 170614

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 63 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX5516H6433XTMA1

جزء الأسهم: 146212

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX56H6327XTSA1

جزء الأسهم: 163521

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX5116H6433XTMA1

جزء الأسهم: 198580

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX5310H6327XTSA1

جزء الأسهم: 177721

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 63 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX5116H6327XTSA1

جزء الأسهم: 125460

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX5316H6327XTSA1

جزء الأسهم: 157660

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX5216H6433XTMA1

جزء الأسهم: 185398

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX42E6433HTMA1

جزء الأسهم: 142226

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 125V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 200mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BFN26E6327HTSA1

جزء الأسهم: 148754

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BC847BL3E6327XTMA1

جزء الأسهم: 107829

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BC848BL3E6327XTMA1

جزء الأسهم: 188958

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BC857BL3E6327XTMA1

جزء الأسهم: 119538

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 220 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX41E6433HTMA1

جزء الأسهم: 163211

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 125V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 200mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BFN24E6327HTSA1

جزء الأسهم: 134283

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 250V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCV46E6327HTSA1

جزء الأسهم: 127114

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCV27E6327HTSA1

جزء الأسهم: 160159

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCV47E6433HTMA1

جزء الأسهم: 127913

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCV26E6327HTSA1

جزء الأسهم: 113386

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BC817K16WH6327XTSA1

جزء الأسهم: 198915

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCW66KHE6327HTSA1

جزء الأسهم: 102053

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX71JE6327HTSA1

جزء الأسهم: 126835

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BC817K40E6327HTSA1

جزء الأسهم: 131545

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BFN27E6327HTSA1

جزء الأسهم: 182291

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCX71KE6327HTSA1

جزء الأسهم: 104931

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 380 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BC817K16E6327HTSA1

جزء الأسهم: 157813

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BC847CWH6778XTSA1

جزء الأسهم: 132793

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 420 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BC857BWH6778XTSA1

جزء الأسهم: 135347

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 220 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BC817K25WH6433XTMA1

جزء الأسهم: 196059

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCW66KGE6327HTSA1

جزء الأسهم: 160893

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCW68GE6327HTSA1

جزء الأسهم: 151048

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCW67BE6327HTSA1

جزء الأسهم: 118170

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 32V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCW68FE6327HTSA1

جزء الأسهم: 155759

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BCW67CE6327HTSA1

جزء الأسهم: 158142

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 32V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات