Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

IKD04N60RAATMA1
Infineon Technologies

IKD04N60RAATMA1

جزء الأسهم: 113985

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 12A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 4A, أقصى القوة: 75W,

قائمة الرغبات
IRGC4630B
Infineon Technologies

IRGC4630B

جزء الأسهم: 29727

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A,

قائمة الرغبات
IRG4BC30KD-STRR
Infineon Technologies

IRG4BC30KD-STRR

جزء الأسهم: 6578

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 28A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 58A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 16A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
SGB02N120ATMA1
Infineon Technologies

SGB02N120ATMA1

جزء الأسهم: 87941

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6.2A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 9.6A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.6V @ 15V, 2A, أقصى القوة: 62W,

قائمة الرغبات
IRGPH40F
Infineon Technologies

IRGPH40F

جزء الأسهم: 6601

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 29A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.3V @ 15V, 17A, أقصى القوة: 160W,

قائمة الرغبات
IRGS10B60KDTRRP
Infineon Technologies

IRGS10B60KDTRRP

جزء الأسهم: 40332

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 22A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 44A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 156W,

قائمة الرغبات
IRG4PC30S
Infineon Technologies

IRG4PC30S

جزء الأسهم: 6533

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 68A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 18A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
IRG4BC30K-STRRP
Infineon Technologies

IRG4BC30K-STRRP

جزء الأسهم: 6690

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 28A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 16A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
IRG4IBC30SPBF
Infineon Technologies

IRG4IBC30SPBF

جزء الأسهم: 23982

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23.5A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 47A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 18A, أقصى القوة: 45W,

قائمة الرغبات
IRG4PH40UD-EPBF
Infineon Technologies

IRG4PH40UD-EPBF

جزء الأسهم: 13530

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 82A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.1V @ 15V, 21A, أقصى القوة: 160W,

قائمة الرغبات
IRG4BC20WPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20WPBF

جزء الأسهم: 76827

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 52A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
IRG4BC30FD1PBF
Infineon Technologies

IRG4BC30FD1PBF

جزء الأسهم: 19655

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 31A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 124A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 17A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
IKZ75N65NH5XKSA1
Infineon Technologies

IKZ75N65NH5XKSA1

جزء الأسهم: 9192

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 395W,

قائمة الرغبات
IRGS10B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGS10B60KDPBF

جزء الأسهم: 29324

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 22A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 44A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 156W,

قائمة الرغبات
IRG4BC20UPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20UPBF

جزء الأسهم: 35072

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 52A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
IKW30N65NL5XKSA1
Infineon Technologies

IKW30N65NL5XKSA1

جزء الأسهم: 18074

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 85A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.35V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 227W,

قائمة الرغبات
IRG4BC30U
Infineon Technologies

IRG4BC30U

جزء الأسهم: 6571

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
IRG4IBC30FD
Infineon Technologies

IRG4IBC30FD

جزء الأسهم: 6619

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20.3A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 17A, أقصى القوة: 45W,

قائمة الرغبات
IRGB10B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGB10B60KDPBF

جزء الأسهم: 46468

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 22A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 44A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 156W,

قائمة الرغبات
IRG4PC30SPBF
Infineon Technologies

IRG4PC30SPBF

جزء الأسهم: 27496

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 68A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 18A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
IGW50N65H5AXKSA1
Infineon Technologies

IGW50N65H5AXKSA1

جزء الأسهم: 15301

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 270W,

قائمة الرغبات
IRGS6B60KDTRLP
Infineon Technologies

IRGS6B60KDTRLP

جزء الأسهم: 49637

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 26A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 90W,

قائمة الرغبات
IRG4IBC30W
Infineon Technologies

IRG4IBC30W

جزء الأسهم: 6608

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 17A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 45W,

قائمة الرغبات
IRG4PSH71KD
Infineon Technologies

IRG4PSH71KD

جزء الأسهم: 6612

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 78A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 156A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 42A, أقصى القوة: 350W,

قائمة الرغبات
IRGI4085-111PBF
Infineon Technologies

IRGI4085-111PBF

جزء الأسهم: 6680

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 330V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 28A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 28V, 15A, أقصى القوة: 38W,

قائمة الرغبات
IKD06N60RAATMA1
Infineon Technologies

IKD06N60RAATMA1

جزء الأسهم: 99890

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 6A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
IKP30N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKP30N65F5XKSA1

جزء الأسهم: 18449

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 188W,

قائمة الرغبات
IRG4BC10SD-L
Infineon Technologies

IRG4BC10SD-L

جزء الأسهم: 6617

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 38W,

قائمة الرغبات
IRG4BC30W-STRL
Infineon Technologies

IRG4BC30W-STRL

جزء الأسهم: 6589

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
IRG4PC60UPBF
Infineon Technologies

IRG4PC60UPBF

جزء الأسهم: 11019

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 520W,

قائمة الرغبات
IRG4BC15UD-L
Infineon Technologies

IRG4BC15UD-L

جزء الأسهم: 6596

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 42A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A, أقصى القوة: 49W,

قائمة الرغبات
IRG4PSH71KPBF
Infineon Technologies

IRG4PSH71KPBF

جزء الأسهم: 6588

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 78A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 156A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 42A, أقصى القوة: 350W,

قائمة الرغبات
IRG4PH50KPBF
Infineon Technologies

IRG4PH50KPBF

جزء الأسهم: 16228

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 200W,

قائمة الرغبات
IKD06N60RAATMA2
Infineon Technologies

IKD06N60RAATMA2

جزء الأسهم: 99829

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 6A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
IHW30N160R2FKSA1
Infineon Technologies

IHW30N160R2FKSA1

جزء الأسهم: 6499

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 312W,

قائمة الرغبات
IRG4RC20F
Infineon Technologies

IRG4RC20F

جزء الأسهم: 5625

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 22A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 44A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 66W,

قائمة الرغبات