الثايرستور - SCR - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 14

TZ800N14KOFHPSA3

جزء الأسهم: 107

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 819A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1500A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

T680N14TOFXPSA1

جزء الأسهم: 164

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 681A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1250A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

T1500N18TOFVTXPSA1

جزء الأسهم: 54

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3500A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

T420N16TOFXPSA1

جزء الأسهم: 122

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 424A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 750A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT104N14KOFHPSA1

جزء الأسهم: 143

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 104A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 160A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.4V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TD162N16KOFHPSA1

جزء الأسهم: 71

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 162A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 260A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT104N12KOFKHPSA1

جزء الأسهم: 94

بنية: Common Cathode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 104A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 160A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.4V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TTW3C85N16LOFHOSA1

جزء الأسهم: 242

بنية: Bridge, 3-Phase - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 6 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 106A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 75A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT180N12KOFHPSA1

جزء الأسهم: 90

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 180A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 285A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TD140N22KOFHPSA1

جزء الأسهم: 124

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 2.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 159A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 250A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT330N12KOFHPSA2

جزء الأسهم: 70

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TD215N22KOFHPSA1

جزء الأسهم: 146

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 2.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 215A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 410A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

T470N16TOFXPSA1

جزء الأسهم: 121

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 470A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT500N16KOFHPSA2

جزء الأسهم: 135

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 900A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TD330N16KOFTIMHPSA1

جزء الأسهم: 68

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT61N16KOFHPSA1

جزء الأسهم: 81

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 76A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 120A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.4V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

T1040N22TOFVTXPSA1

جزء الأسهم: 138

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 2.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1040A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2200A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TD400N26KOFHPSA1

جزء الأسهم: 63

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 2.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

T2180N16TOFVTXPSA1

جزء الأسهم: 100

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2180A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4460A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

T640N16TOFXPSA1

جزء الأسهم: 110

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 644A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1250A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TZ800N16KOFHPSA3

جزء الأسهم: 121

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 819A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1500A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TD210N12KOFHPSA1

جزء الأسهم: 117

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 261A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 410A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TZ600N12KOFHPSA1

جزء الأسهم: 139

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 669A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1050A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TD190N18SOFHPSA1

جزء الأسهم: 158

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 190A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 275A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT170N14KOFHPSA1

جزء الأسهم: 67

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 223A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 350A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

T3710N06TOFVTXPSA1

جزء الأسهم: 122

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 600V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 3710A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 7000A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT180N16KOFHPSA1

جزء الأسهم: 32

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 180A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 285A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TD140N16SOFHPSA1

جزء الأسهم: 192

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 140A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 220A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT61N08KOFB2

جزء الأسهم: 191

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 76A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 120A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.4V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TZ240N32KOF

جزء الأسهم: 226

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 3.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 240A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 700A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

T660N22TOFXPSA1

جزء الأسهم: 119

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 2.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 660A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1500A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

T430N16TOFXPSA1

جزء الأسهم: 120

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 433A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 700A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT120N16SOFHPSA1

جزء الأسهم: 189

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 119A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 190A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TD250N14KOFHPSA1

جزء الأسهم: 136

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 410A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TD250N18KOFHPSA1

جزء الأسهم: 99

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 410A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

TT280N18SOFHPSA1

جزء الأسهم: 112

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 280A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات