Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IPP04CN10NG
Infineon Technologies

IPP04CN10NG

جزء الأسهم: 471

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL3714STRLPBF
Infineon Technologies

IRL3714STRLPBF

جزء الأسهم: 551

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF9540NSPBF
Infineon Technologies

IRF9540NSPBF

جزء الأسهم: 42892

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF8707PBF
Infineon Technologies

IRF8707PBF

جزء الأسهم: 6128

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.9 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF1310NSTRRPBF
Infineon Technologies

IRF1310NSTRRPBF

جزء الأسهم: 481

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 22A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL3715ZCSTRRP
Infineon Technologies

IRL3715ZCSTRRP

جزء الأسهم: 505

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR7821CTRRPBF
Infineon Technologies

IRLR7821CTRRPBF

جزء الأسهم: 508

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 65A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF2903ZLPBF
Infineon Technologies

IRF2903ZLPBF

جزء الأسهم: 601

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF6668TRPBF
Infineon Technologies

IRF6668TRPBF

جزء الأسهم: 74009

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS17N20DTRLP
Infineon Technologies

IRFS17N20DTRLP

جزء الأسهم: 593

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 9.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR4105ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRFR4105ZTRLPBF

جزء الأسهم: 548

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR7833CTRLPBF
Infineon Technologies

IRLR7833CTRLPBF

جزء الأسهم: 501

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 140A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7601PBF
Infineon Technologies

IRF7601PBF

جزء الأسهم: 483

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
IRL3502STRLPBF
Infineon Technologies

IRL3502STRLPBF

جزء الأسهم: 561

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 7V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 64A, 7V,

قائمة الرغبات
IRFS4410PBF
Infineon Technologies

IRFS4410PBF

جزء الأسهم: 21326

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 88A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 58A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF2804SPBF
Infineon Technologies

IRF2804SPBF

جزء الأسهم: 21226

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR3704ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRFR3704ZTRLPBF

جزء الأسهم: 555

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7853PBF
Infineon Technologies

IRF7853PBF

جزء الأسهم: 48240

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7854PBF
Infineon Technologies

IRF7854PBF

جزء الأسهم: 526

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF2903ZSTRRP
Infineon Technologies

IRF2903ZSTRRP

جزء الأسهم: 509

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF3711ZSTRRPBF
Infineon Technologies

IRF3711ZSTRRPBF

جزء الأسهم: 523

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 92A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF2804STRR7PP
Infineon Technologies

IRF2804STRR7PP

جزء الأسهم: 573

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL540NSTRL
Infineon Technologies

IRL540NSTRL

جزء الأسهم: 335

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR8113TRLPBF
Infineon Technologies

IRLR8113TRLPBF

جزء الأسهم: 522

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 94A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR3410CPBF
Infineon Technologies

IRLR3410CPBF

جزء الأسهم: 532

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR7843TRRPBF
Infineon Technologies

IRLR7843TRRPBF

جزء الأسهم: 504

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 161A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7702GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7702GTRPBF

جزء الأسهم: 559

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
IRL8113STRRPBF
Infineon Technologies

IRL8113STRRPBF

جزء الأسهم: 511

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 105A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 21A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFU1018EPBF
Infineon Technologies

IRFU1018EPBF

جزء الأسهم: 6067

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF1018ESPBF
Infineon Technologies

IRF1018ESPBF

جزء الأسهم: 99223

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 79A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL1404ZSPBF
Infineon Technologies

IRL1404ZSPBF

جزء الأسهم: 59773

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF3805L-7PPBF
Infineon Technologies

IRF3805L-7PPBF

جزء الأسهم: 541

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF5305LPBF
Infineon Technologies

IRF5305LPBF

جزء الأسهم: 588

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 31A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF8301MTRPBF
Infineon Technologies

IRF8301MTRPBF

جزء الأسهم: 48676

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 34A (Ta), 192A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 mOhm @ 32A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR7807ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRLR7807ZTRLPBF

جزء الأسهم: 545

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 43A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7855PBF
Infineon Technologies

IRF7855PBF

جزء الأسهم: 38765

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.4 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات