Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

AUIRFS4115TRL
Infineon Technologies

AUIRFS4115TRL

جزء الأسهم: 25434

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 99A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRLS3036-7TRL
Infineon Technologies

AUIRLS3036-7TRL

جزء الأسهم: 25560

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.9 mOhm @ 180A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRLS4030-7TRL
Infineon Technologies

AUIRLS4030-7TRL

جزء الأسهم: 25843

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 190A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 110A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRFS8409TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8409TRL

جزء الأسهم: 26316

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRLS3036TRL
Infineon Technologies

AUIRLS3036TRL

جزء الأسهم: 26630

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRLS4030TRL
Infineon Technologies

AUIRLS4030TRL

جزء الأسهم: 26947

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF7799L2TR
Infineon Technologies

AUIRF7799L2TR

جزء الأسهم: 26979

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 375A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 21A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRFS4115
Infineon Technologies

AUIRFS4115

جزء الأسهم: 27211

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 99A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRFSL4115
Infineon Technologies

AUIRFSL4115

جزء الأسهم: 27215

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 99A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRFSL8409
Infineon Technologies

AUIRFSL8409

جزء الأسهم: 28150

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies

AUIRF7769L2TR

جزء الأسهم: 29095

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 375A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 74A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF3805S-7TRL
Infineon Technologies

AUIRF3805S-7TRL

جزء الأسهم: 29625

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRFS4310TRL
Infineon Technologies

AUIRFS4310TRL

جزء الأسهم: 30275

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF1324STRL7P
Infineon Technologies

AUIRF1324STRL7P

جزء الأسهم: 30395

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 340A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.65 mOhm @ 195A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF2804STRL7P
Infineon Technologies

AUIRF2804STRL7P

جزء الأسهم: 30516

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF1324STRL
Infineon Technologies

AUIRF1324STRL

جزء الأسهم: 30901

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.65 mOhm @ 195A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF7738L2TR
Infineon Technologies

AUIRF7738L2TR

جزء الأسهم: 35883

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Ta), 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 109A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRFS8408-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8408-7TRL

جزء الأسهم: 32920

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF2804STRL
Infineon Technologies

AUIRF2804STRL

جزء الأسهم: 33414

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF1404STRL
Infineon Technologies

AUIRF1404STRL

جزء الأسهم: 33667

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 95A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF2903ZSTRL
Infineon Technologies

AUIRF2903ZSTRL

جزء الأسهم: 34014

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF1324S-7P
Infineon Technologies

AUIRF1324S-7P

جزء الأسهم: 21240

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 mOhm @ 160A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF1324
Infineon Technologies

AUIRF1324

جزء الأسهم: 34134

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 mOhm @ 195A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF3805L
Infineon Technologies

AUIRF3805L

جزء الأسهم: 34207

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF2804S-7P
Infineon Technologies

AUIRF2804S-7P

جزء الأسهم: 16368

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRFS4310ZTRL
Infineon Technologies

AUIRFS4310ZTRL

جزء الأسهم: 34665

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF2903Z
Infineon Technologies

AUIRF2903Z

جزء الأسهم: 35732

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF2804L
Infineon Technologies

AUIRF2804L

جزء الأسهم: 17981

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF1404
Infineon Technologies

AUIRF1404

جزء الأسهم: 36090

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 121A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF1405ZS-7P
Infineon Technologies

AUIRF1405ZS-7P

جزء الأسهم: 27102

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 88A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF3805
Infineon Technologies

AUIRF3805

جزء الأسهم: 37043

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies

AUIRF4905STRL

جزء الأسهم: 38932

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 42A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF2804
Infineon Technologies

AUIRF2804

جزء الأسهم: 22270

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRFS8407TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8407TRL

جزء الأسهم: 41880

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRFS8407-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8407-7TRL

جزء الأسهم: 39997

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
AUIRF1405
Infineon Technologies

AUIRF1405

جزء الأسهم: 39980

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.3 mOhm @ 101A, 10V,

قائمة الرغبات