Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IPP60R1K4C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R1K4C6XKSA1

جزء الأسهم: 73244

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IPU60R600C6AKMA1
Infineon Technologies

IPU60R600C6AKMA1

جزء الأسهم: 128352

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF2204PBF
Infineon Technologies

IRF2204PBF

جزء الأسهم: 31347

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 210A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 130A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP044NPBF
Infineon Technologies

IRFP044NPBF

جزء الأسهم: 40108

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 53A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 29A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS3307ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRFS3307ZTRLPBF

جزء الأسهم: 50972

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP06CN10NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP06CN10NGXKSA1

جزء الأسهم: 1949

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD60R650CEATMA1
Infineon Technologies

IPD60R650CEATMA1

جزء الأسهم: 1940

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 650 mOhm @ 2.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD80R2K8CEBTMA1
Infineon Technologies

IPD80R2K8CEBTMA1

جزء الأسهم: 1874

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF2804STRLPBF
Infineon Technologies

IRF2804STRLPBF

جزء الأسهم: 41497

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IPU80R2K8CEBKMA1
Infineon Technologies

IPU80R2K8CEBKMA1

جزء الأسهم: 1856

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS7530-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS7530-7PPBF

جزء الأسهم: 14416

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
SPI11N65C3HKSA1
Infineon Technologies

SPI11N65C3HKSA1

جزء الأسهم: 2039

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFH7188TRPBF
Infineon Technologies

IRFH7188TRPBF

جزء الأسهم: 1906

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), 105A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
IPU60R1K0CEBKMA1
Infineon Technologies

IPU60R1K0CEBKMA1

جزء الأسهم: 1979

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP147N12N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP147N12N3GXKSA1

جزء الأسهم: 9819

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 120V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.7 mOhm @ 56A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS7434PBF
Infineon Technologies

IRFS7434PBF

جزء الأسهم: 1871

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPS65R1K5CEAKMA1
Infineon Technologies

IPS65R1K5CEAKMA1

جزء الأسهم: 110997

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFH7191TRPBF
Infineon Technologies

IRFH7191TRPBF

جزء الأسهم: 65161

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 48A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB65R045C7ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R045C7ATMA1

جزء الأسهم: 9205

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 46A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 24.9A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF8327STR1PBF
Infineon Technologies

IRF8327STR1PBF

جزء الأسهم: 1809

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.3 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
IPL60R255P6AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R255P6AUMA1

جزء الأسهم: 60011

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 255 mOhm @ 6.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR2407TRPBF
Infineon Technologies

IRFR2407TRPBF

جزء الأسهم: 115801

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD60R2K1CEBTMA1
Infineon Technologies

IPD60R2K1CEBTMA1

جزء الأسهم: 197598

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.1 Ohm @ 760mA, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS3207ZTRRPBF
Infineon Technologies

IRFS3207ZTRRPBF

جزء الأسهم: 44389

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.1 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL40B209
Infineon Technologies

IRL40B209

جزء الأسهم: 23076

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.25 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPA65R190CFDXKSA1

جزء الأسهم: 10207

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD80R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies

IPD80R1K4CEBTMA1

جزء الأسهم: 1916

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS7434-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS7434-7PPBF

جزء الأسهم: 1800

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP80N04S2H4AKSA2
Infineon Technologies

IPP80N04S2H4AKSA2

جزء الأسهم: 6274

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLS3813PBF
Infineon Technologies

IRLS3813PBF

جزء الأسهم: 53058

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.95 mOhm @ 148A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD60R400CEATMA1
Infineon Technologies

IPD60R400CEATMA1

جزء الأسهم: 156972

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA80R1K4P7XKSA1

جزء الأسهم: 50856

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SPP11N60CFDHKSA1
Infineon Technologies

SPP11N60CFDHKSA1

جزء الأسهم: 2007

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 440 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR4104TRPBF
Infineon Technologies

IRFR4104TRPBF

جزء الأسهم: 88373

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V,

قائمة الرغبات
IPS70R600CEAKMA1
Infineon Technologies

IPS70R600CEAKMA1

جزء الأسهم: 2004

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP4310ZPBF
Infineon Technologies

IRFP4310ZPBF

جزء الأسهم: 20438

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات