الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

BTS244ZE3062AATMA2

جزء الأسهم: 41005

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BTS247ZE3062AATMA2

جزء الأسهم: 44037

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSZ036NE2LSATMA1

جزء الأسهم: 62396

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Ta), 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSZ110N06NS3GATMA1

جزء الأسهم: 62321

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC014NE2LSIATMA1

جزء الأسهم: 62322

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSS308PEH6327XTSA1

جزء الأسهم: 103373

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSS670S2LH6327XTSA1

جزء الأسهم: 198763

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 540mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSB165N15NZ3GXUMA1

جزء الأسهم: 8100

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSS306NH6327XTSA1

جزء الأسهم: 150734

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC014N06NSTATMA1

جزء الأسهم: 8162

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.45 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC010N04LSIATMA1

جزء الأسهم: 53823

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 37A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.05 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSZ440N10NS3GATMA1

جزء الأسهم: 71282

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.3A (Ta), 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSZ100N06LS3GATMA1

جزء الأسهم: 71224

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC040N10NS5ATMA1

جزء الأسهم: 71173

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC160N10NS3GATMA1

جزء الأسهم: 164865

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.8A (Ta), 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 33A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC093N15NS5ATMA1

جزء الأسهم: 36984

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 87A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 44A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC014N06NSATMA1

جزء الأسهم: 50104

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.45 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC105N10LSFGATMA1

جزء الأسهم: 51995

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.4A (Ta), 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSS138NH6327XTSA2

جزء الأسهم: 175004

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSB015N04NX3GXUMA1

جزء الأسهم: 8028

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Ta), 180A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC050NE2LSATMA1

جزء الأسهم: 80148

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 39A (Ta), 58A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSZ035N03MSGATMA1

جزء الأسهم: 80152

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSB044N08NN3GXUMA1

جزء الأسهم: 8102

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC110N15NS5ATMA1

جزء الأسهم: 50840

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 76A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 38A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC600N25NS3GATMA1

جزء الأسهم: 8069

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC035N10NS5ATMA1

جزء الأسهم: 50980

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC13DN30NSFDATMA1

جزء الأسهم: 23810

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC670N25NSFDATMA1

جزء الأسهم: 56245

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 67 mOhm @ 24A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC046N10NS3GATMA1

جزء الأسهم: 46661

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC026N08NS5ATMA1

جزء الأسهم: 51670

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC350N20NSFDATMA1

جزء الأسهم: 57943

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 35A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSS84PWH6327XTSA1

جزء الأسهم: 188882

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC320N20NS3GATMA1

جزء الأسهم: 7985

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 36A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC190N15NS3GATMA1

جزء الأسهم: 62611

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC039N06NSATMA1

جزء الأسهم: 103839

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

BSC047N08NS3GATMA1

جزء الأسهم: 67770

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات