Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

BUZ73AL
Infineon Technologies

BUZ73AL

جزء الأسهم: 95

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

قائمة الرغبات
BUZ73AE3046XK
Infineon Technologies

BUZ73AE3046XK

جزء الأسهم: 152

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
BUZ73A
Infineon Technologies

BUZ73A

جزء الأسهم: 97

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
BUZ32H3045AATMA1
Infineon Technologies

BUZ32H3045AATMA1

جزء الأسهم: 142

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
BUZ73E3046XK
Infineon Technologies

BUZ73E3046XK

جزء الأسهم: 174

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
BUZ32 E3045A
Infineon Technologies

BUZ32 E3045A

جزء الأسهم: 168

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
BUZ32
Infineon Technologies

BUZ32

جزء الأسهم: 94

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
BUZ31L E3044A
Infineon Technologies

BUZ31L E3044A

جزء الأسهم: 164

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

قائمة الرغبات
BUZ31L
Infineon Technologies

BUZ31L

جزء الأسهم: 176

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

قائمة الرغبات
BUZ31 E3046
Infineon Technologies

BUZ31 E3046

جزء الأسهم: 128

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

قائمة الرغبات
BUZ31 E3045A
Infineon Technologies

BUZ31 E3045A

جزء الأسهم: 125

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

قائمة الرغبات
BUZ31
Infineon Technologies

BUZ31

جزء الأسهم: 160

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

قائمة الرغبات
BUZ30A E3045A
Infineon Technologies

BUZ30A E3045A

جزء الأسهم: 182

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V,

قائمة الرغبات
BTS282ZAKSA1
Infineon Technologies

BTS282ZAKSA1

جزء الأسهم: 135

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 49V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

قائمة الرغبات
BTS282Z E3230
Infineon Technologies

BTS282Z E3230

جزء الأسهم: 97

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 49V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

قائمة الرغبات
BTS247ZE3043AKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZE3043AKSA1

جزء الأسهم: 153

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZAKSA1

جزء الأسهم: 141

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
BTS244Z E3043
Infineon Technologies

BTS244Z E3043

جزء الأسهم: 84

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
BTS244Z E3062A
Infineon Technologies

BTS244Z E3062A

جزء الأسهم: 149

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
BTS113AE3064NKSA1
Infineon Technologies

BTS113AE3064NKSA1

جزء الأسهم: 94

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies

BTS244ZNKSA1

جزء الأسهم: 175

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
BTS113ANKSA1
Infineon Technologies

BTS113ANKSA1

جزء الأسهم: 176

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
BTS113AE3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS113AE3045ANTMA1

جزء الأسهم: 161

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
BTS110NKSA1
Infineon Technologies

BTS110NKSA1

جزء الأسهم: 140

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
BTS110E3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS110E3045ANTMA1

جزء الأسهم: 180

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
BSS87 E6433
Infineon Technologies

BSS87 E6433

جزء الأسهم: 144

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 240V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 260mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS84P E6433
Infineon Technologies

BSS84P E6433

جزء الأسهم: 174

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS225L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS225L6327HTSA1

جزء الأسهم: 6048

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS225
Infineon Technologies

BSS225

جزء الأسهم: 103

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS169 E6906
Infineon Technologies

BSS169 E6906

جزء الأسهم: 94

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS169 E6327
Infineon Technologies

BSS169 E6327

جزء الأسهم: 6104

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS159N E6906
Infineon Technologies

BSS159N E6906

جزء الأسهم: 129

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS159N E6327
Infineon Technologies

BSS159N E6327

جزء الأسهم: 170

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS139 E6906
Infineon Technologies

BSS139 E6906

جزء الأسهم: 116

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS139 E6327
Infineon Technologies

BSS139 E6327

جزء الأسهم: 166

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS138W E6433
Infineon Technologies

BSS138W E6433

جزء الأسهم: 159

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 280mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات