Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

AON6210
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6210

جزء الأسهم: 1260

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6202
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6202

جزء الأسهم: 1191

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Ta), 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOL1242
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1242

جزء الأسهم: 176114

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 69A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOD425
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD425

جزء الأسهم: 182656

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOB298L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB298L

جزء الأسهم: 1224

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), 58A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOD518
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD518

جزء الأسهم: 1199

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), 54A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOD2610
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD2610

جزء الأسهم: 1252

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), 46A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOD254
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD254

جزء الأسهم: 125843

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Ta), 28A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 46 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6246
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6246

جزء الأسهم: 121397

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.4 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6408L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6408L

جزء الأسهم: 1215

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14.5A (Ta), 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6244
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6244

جزء الأسهم: 1179

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6426
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6426

جزء الأسهم: 6166

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 65A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6424
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6424

جزء الأسهم: 1233

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), 41A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6232
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6232

جزء الأسهم: 132850

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6416
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6416

جزء الأسهم: 1236

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 22A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOW298
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW298

جزء الأسهم: 1253

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), 58A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOW2918
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW2918

جزء الأسهم: 1195

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOTF298L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF298L

جزء الأسهم: 1237

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOTF2918L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF2918L

جزء الأسهم: 1180

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), 58A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AO4724
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4724

جزء الأسهم: 1212

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17.5 mOhm @ 10.5A, 10V,

قائمة الرغبات
AO4720
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4720

جزء الأسهم: 6163

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
AO4722
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4722

جزء الأسهم: 1224

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 11.6A, 10V,

قائمة الرغبات
AO4478
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4478

جزء الأسهم: 1198

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات
AO4718
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4718

جزء الأسهم: 1178

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
AO4304
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4304

جزء الأسهم: 1196

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
AO4420A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4420A

جزء الأسهم: 1227

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 13.7A, 10V,

قائمة الرغبات
AO4202
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4202

جزء الأسهم: 1201

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.3 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
AOD472A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD472A

جزء الأسهم: 1204

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), 46A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
AOT2918L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT2918L

جزء الأسهم: 1187

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AO4423L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4423L

جزء الأسهم: 158558

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 15A, 20V,

قائمة الرغبات
AO4409
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4409

جزء الأسهم: 164012

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
AOTF240L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF240L

جزء الأسهم: 33209

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOB416
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB416

جزء الأسهم: 160428

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.2A (Ta), 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOD3T40P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD3T40P

جزء الأسهم: 141745

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6404
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6404

جزء الأسهم: 984

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON7416
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7416

جزء الأسهم: 6139

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات