Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

AOD478
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD478

جزء الأسهم: 199556

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
AO4264E
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4264E

جزء الأسهم: 127025

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.8 mOhm @ 13.5A, 10V,

قائمة الرغبات
AOT27S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT27S60L

جزء الأسهم: 19838

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 13.5A, 10V,

قائمة الرغبات
AOT29S50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT29S50L

جزء الأسهم: 17021

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 29A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 14.5A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6294
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6294

جزء الأسهم: 108154

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), 52A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOW12N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW12N60

جزء الأسهم: 104972

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
AOK18N65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK18N65L

جزء الأسهم: 25188

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 390 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات
AOTF5N100
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF5N100

جزء الأسهم: 91903

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 Ohm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
AON2405
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2405

جزء الأسهم: 112029

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
AOK29S50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK29S50L

جزء الأسهم: 19036

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 29A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 14.5A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6156
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6156

جزء الأسهم: 264

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 45V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6314
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6314

جزء الأسهم: 103872

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOD4186
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4186

جزء الأسهم: 173906

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOT20N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT20N60L

جزء الأسهم: 55709

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 370 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
AOH3106
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOH3106

جزء الأسهم: 166929

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 360 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
AOI294A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI294A

جزء الأسهم: 265

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOW2500
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW2500

جزء الأسهم: 37469

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.5A (Ta), 152A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOT470
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT470

جزء الأسهم: 113850

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
AOD9N40
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD9N40

جزء الأسهم: 105699

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
AOB266L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB266L

جزء الأسهم: 64887

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), 140A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOT418L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT418L

جزء الأسهم: 66571

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.5A (Ta), 105A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON7538
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7538

جزء الأسهم: 174291

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Ta), 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON7423
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7423

جزء الأسهم: 199672

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Ta), 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 4.5V,

قائمة الرغبات
AON7380
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7380

جزء الأسهم: 149133

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AO6409A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6409A

جزء الأسهم: 186558

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
AOW482
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW482

جزء الأسهم: 72355

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), 105A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOD3C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD3C60

جزء الأسهم: 173004

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
AOTF9N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF9N50

جزء الأسهم: 158527

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
AON3419
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3419

جزء الأسهم: 176956

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
AOWF10N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF10N60

جزء الأسهم: 116806

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
AOD4C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4C60

جزء الأسهم: 133660

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 950 mOhm @ 1.3A, 10V,

قائمة الرغبات
AOB1100L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB1100L

جزء الأسهم: 41620

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AOI8N25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI8N25

جزء الأسهم: 194579

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 560 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6590
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6590

جزء الأسهم: 67801

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 67A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.99 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
AON7290
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7290

جزء الأسهم: 106665

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.6 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
AON6162
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6162

جزء الأسهم: 254

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.1 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات