يكتب: MOSFET, إعدادات: 1 Phase, تيار: 40A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: SOT-227-4, miniBLOC,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 30A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: 1 Phase, تيار: 200A, الجهد االكهربى: 1.25kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: SOT-227-4, miniBLOC,
يكتب: MOSFET, إعدادات: Full Bridge, تيار: 40A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, تيار: 95A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 100A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 100A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, إعدادات: Half Bridge, تيار: 300A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 150A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, إعدادات: Half Bridge, تيار: 480A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, إعدادات: Half Bridge, تيار: 240A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, إعدادات: 3 Phase, تيار: 80A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: Half Bridge, تيار: 200A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, إعدادات: Half Bridge, تيار: 360A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, إعدادات: 3 Phase, تيار: 40A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: Half Bridge, تيار: 400A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 200A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, تيار: 42A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, إعدادات: 1 Phase, تيار: 120A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: SOT-227-4, miniBLOC,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 60A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, إعدادات: 1 Phase, تيار: 60A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: SOT-227-4, miniBLOC,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 50A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
تيار: 150A, الجهد االكهربى: 1.7kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: SOT-227-4, miniBLOC,
يكتب: IGBT, إعدادات: 1 Phase, تيار: 160A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: SOT-227-4, miniBLOC,
يكتب: IGBT, إعدادات: 1 Phase, تيار: 120A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: SOT-227-4, miniBLOC,
يكتب: MOSFET, إعدادات: 1 Phase, تيار: 200A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: SOT-227-4, miniBLOC,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 195A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
