الثنائيات - المقومات - المصفوفات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 25

MURT40010R

جزء الأسهم: 1085

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT20030R

جزء الأسهم: 1602

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURT10010

جزء الأسهم: 1338

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR12080CT

جزء الأسهم: 1575

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 120A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MUR40005CTR

جزء الأسهم: 1276

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 125A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURTA60020R

جزء الأسهم: 949

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 600A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT30030

جزء الأسهم: 1567

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR20045CT

جزء الأسهم: 1548

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A180

جزء الأسهم: 3569

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 180V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURT10040R

جزء الأسهم: 1285

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MUR40040CT

جزء الأسهم: 1230

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 125A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A02

جزء الأسهم: 3144

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 120A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURTA50040R

جزء الأسهم: 1066

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURT40010

جزء الأسهم: 1018

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MUR30005CTR

جزء الأسهم: 1351

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CT

جزء الأسهم: 1544

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A100

جزء الأسهم: 4056

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 50A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURT10010R

جزء الأسهم: 1316

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT60080R

جزء الأسهم: 968

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 600A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR50030CT

جزء الأسهم: 1187

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURTA60020

جزء الأسهم: 979

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 600A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT20020R

جزء الأسهم: 1604

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200100(A)D

جزء الأسهم: 1307

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 200A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT60035

جزء الأسهم: 981

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 600A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT30060

جزء الأسهم: 1255

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR50045CTR

جزء الأسهم: 1179

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MUR30005CT

جزء الأسهم: 1326

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT60040R

جزء الأسهم: 959

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 600A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

جزء الأسهم: 1239

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 200A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

جزء الأسهم: 1084

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FST12080

جزء الأسهم: 1525

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 120A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

جزء الأسهم: 1065

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

جزء الأسهم: 1133

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

جزء الأسهم: 1485

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURT30040

جزء الأسهم: 1082

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

جزء الأسهم: 1091

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات