Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
MMBTA06-7
Diodes Incorporated

MMBTA06-7

جزء الأسهم: 5130

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
FCX1147ATA
Diodes Incorporated

FCX1147ATA

جزء الأسهم: 47382

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 50mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
ZTX1048ASTOB
Diodes Incorporated

ZTX1048ASTOB

جزء الأسهم: 5218

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 17.5V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 245mV @ 20mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
FMMT734TA
Diodes Incorporated

FMMT734TA

جزء الأسهم: 133098

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.05V @ 5mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 200nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
MMBT2907AT-7-F
Diodes Incorporated

MMBT2907AT-7-F

جزء الأسهم: 197856

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZTX717STOB
Diodes Incorporated

ZTX717STOB

جزء الأسهم: 6548

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V,

قائمة الرغبات
FMMT619TA
Diodes Incorporated

FMMT619TA

جزء الأسهم: 160640

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 220mV @ 50mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
FMMT722TA
Diodes Incorporated

FMMT722TA

جزء الأسهم: 101566

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
ZXTP2025FTA
Diodes Incorporated

ZXTP2025FTA

جزء الأسهم: 160506

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
ZX5T2E6TA
Diodes Incorporated

ZX5T2E6TA

جزء الأسهم: 148810

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 130mV @ 350mA, 3.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
DN350T05-7
Diodes Incorporated

DN350T05-7

جزء الأسهم: 106079

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 350V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 50mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZTX557STZ
Diodes Incorporated

ZTX557STZ

جزء الأسهم: 5190

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 50mA, 10V,

قائمة الرغبات
DCP51-16-13
Diodes Incorporated

DCP51-16-13

جزء الأسهم: 4845

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
FMMT618TA
Diodes Incorporated

FMMT618TA

جزء الأسهم: 186279

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات