الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

FZT795ATA

FZT795ATA

جزء الأسهم: 189125

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 140V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 10mA, 2V,

قائمة الرغبات
ZTX689BSTZ

ZTX689BSTZ

جزء الأسهم: 153963

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 400 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات
FZT1048ATA

FZT1048ATA

جزء الأسهم: 193591

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 17.5V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 25mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
ZXTP25020DZTA

ZXTP25020DZTA

جزء الأسهم: 169323

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 265mV @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 10mA, 2V,

قائمة الرغبات
DXT2011P5Q-13

DXT2011P5Q-13

جزء الأسهم: 136

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 220mV @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات
ZXTN2007ZTA

ZXTN2007ZTA

جزء الأسهم: 180916

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 190mV @ 300mA, 6.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1A, 1V,

قائمة الرغبات
ZXTP19060CGTA

ZXTP19060CGTA

جزء الأسهم: 193562

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
ZXTP07012EFFTA

ZXTP07012EFFTA

جزء الأسهم: 152094

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 340mV @ 80mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 500 @ 10mA, 2V,

قائمة الرغبات
MJD340-13

MJD340-13

جزء الأسهم: 103

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 50mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZXTP07040DFFTA

ZXTP07040DFFTA

جزء الأسهم: 117175

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 390mV @ 150mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 10mA, 2V,

قائمة الرغبات
ZXTP722MATA

ZXTP722MATA

جزء الأسهم: 127237

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 25nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 1.5A, 5V,

قائمة الرغبات
FMMT495TA

FMMT495TA

جزء الأسهم: 138815

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 150V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 250mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZTX560

ZTX560

جزء الأسهم: 107733

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 500V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 50mA, 10V,

قائمة الرغبات
DP0150ALP4-7B

DP0150ALP4-7B

جزء الأسهم: 162419

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 6V,

قائمة الرغبات
FMMT494QTA

FMMT494QTA

جزء الأسهم: 167

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 250mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZXTP2039FTC

ZXTP2039FTC

جزء الأسهم: 166919

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 5V,

قائمة الرغبات
ZUMT717TA

ZUMT717TA

جزء الأسهم: 186135

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.25A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
DCX69-16-13

DCX69-16-13

جزء الأسهم: 112402

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 1V,

قائمة الرغبات
ZX5T955ZTA

ZX5T955ZTA

جزء الأسهم: 177104

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 140V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 330mV @ 300mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1A, 5V,

قائمة الرغبات
DXT458P5-13

DXT458P5-13

جزء الأسهم: 166019

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 6mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 50mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZTX751STZ

ZTX751STZ

جزء الأسهم: 111673

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
FMMT723QTA

FMMT723QTA

جزء الأسهم: 141417

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 330mV @ 150mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
FMMT624TC

FMMT624TC

جزء الأسهم: 105911

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 125V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZX5T3ZTC

ZX5T3ZTC

جزء الأسهم: 128390

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
ZXTP4001ZTA

ZXTP4001ZTA

جزء الأسهم: 157728

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 85mA, 100mV,

قائمة الرغبات
ZXTPS718MCTA

ZXTPS718MCTA

جزء الأسهم: 140153

نوع الترانزستور: PNP + Diode (Isolated), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 25nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات
ZXTN04120HP5TC

ZXTN04120HP5TC

جزء الأسهم: 142

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 2000 @ 1A, 5V,

قائمة الرغبات
MMBT4401-13-F

MMBT4401-13-F

جزء الأسهم: 198454

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 1V,

قائمة الرغبات
FZT749TC

FZT749TC

جزء الأسهم: 189787

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 300mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
ZTX457STZ

ZTX457STZ

جزء الأسهم: 102481

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 50mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZTX451STZ

ZTX451STZ

جزء الأسهم: 131968

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 15mA, 150mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZXTPS717MCTA

ZXTPS717MCTA

جزء الأسهم: 184148

نوع الترانزستور: PNP + Diode (Isolated), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4.4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 310mV @ 150mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
FZT649TC

FZT649TC

جزء الأسهم: 129003

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 300mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
ZXTN2011ZTA

ZXTN2011ZTA

جزء الأسهم: 134369

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 195mV @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات
ZXTN19055DZTA

ZXTN19055DZTA

جزء الأسهم: 180248

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 55V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 600mA, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 10mA, 2V,

قائمة الرغبات
DRDN010W-7

DRDN010W-7

جزء الأسهم: 115095

نوع الترانزستور: NPN + Diode (Isolated), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 18V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات