Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7

جزء الأسهم: 125578

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.4A, 2.8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMG4800LSD-13
Diodes Incorporated

DMG4800LSD-13

جزء الأسهم: 135796

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMN2016UTS-13
Diodes Incorporated

DMN2016UTS-13

جزء الأسهم: 168999

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.58A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMC2004VK-7
Diodes Incorporated

DMC2004VK-7

جزء الأسهم: 152592

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 670mA, 530mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMP2160UFDB-7
Diodes Incorporated

DMP2160UFDB-7

جزء الأسهم: 170482

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated

DMP3085LSD-13

جزء الأسهم: 197990

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMG1026UV-7
Diodes Incorporated

DMG1026UV-7

جزء الأسهم: 118631

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 410mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMC2004DWK-7
Diodes Incorporated

DMC2004DWK-7

جزء الأسهم: 194049

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 540mA, 430mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMN6040SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMN6040SSDQ-13

جزء الأسهم: 115786

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMP210DUDJ-7
Diodes Incorporated

DMP210DUDJ-7

جزء الأسهم: 191309

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMN601DWK-7
Diodes Incorporated

DMN601DWK-7

جزء الأسهم: 176941

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 305mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

قائمة الرغبات
DMN5L06DMK-7
Diodes Incorporated

DMN5L06DMK-7

جزء الأسهم: 107540

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 305mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMN2050LFDB-7
Diodes Incorporated

DMN2050LFDB-7

جزء الأسهم: 105819

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMN2004DMK-7
Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

جزء الأسهم: 125678

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 540mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMC2400UV-7
Diodes Incorporated

DMC2400UV-7

جزء الأسهم: 138188

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.03A, 700mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMG1016V-7
Diodes Incorporated

DMG1016V-7

جزء الأسهم: 107374

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 870mA, 640mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات
DMG5802LFX-7
Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

جزء الأسهم: 173089

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات