Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، منحازة

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، منحازة
DCX114YU-7-F
Diodes Incorporated

DCX114YU-7-F

جزء الأسهم: 123031

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA124EH-7
Diodes Incorporated

DDA124EH-7

جزء الأسهم: 108616

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DCX124EH-7
Diodes Incorporated

DCX124EH-7

جزء الأسهم: 110188

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDC114TU-7
Diodes Incorporated

DDC114TU-7

جزء الأسهم: 1373

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA122TU-7-F
Diodes Incorporated

DDA122TU-7-F

جزء الأسهم: 141385

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 220 Ohms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDC143TU-7-F
Diodes Incorporated

DDC143TU-7-F

جزء الأسهم: 106635

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA123JU-7
Diodes Incorporated

DDA123JU-7

جزء الأسهم: 1441

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DCX114EU-7
Diodes Incorporated

DCX114EU-7

جزء الأسهم: 1475

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA142TH-7
Diodes Incorporated

DDA142TH-7

جزء الأسهم: 159342

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 470 Ohms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDC142TU-7-F
Diodes Incorporated

DDC142TU-7-F

جزء الأسهم: 186578

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 470 Ohms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DCX123JU-7
Diodes Incorporated

DCX123JU-7

جزء الأسهم: 1443

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDC144NS-7
Diodes Incorporated

DDC144NS-7

جزء الأسهم: 162287

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDC144EU-7
Diodes Incorporated

DDC144EU-7

جزء الأسهم: 1430

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DCX123JU-7-F
Diodes Incorporated

DCX123JU-7-F

جزء الأسهم: 166649

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA114TU-7-F
Diodes Incorporated

DDA114TU-7-F

جزء الأسهم: 147317

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DCX143ZU-7-F
Diodes Incorporated

DCX143ZU-7-F

جزء الأسهم: 110880

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDC113TU-7-F
Diodes Incorporated

DDC113TU-7-F

جزء الأسهم: 112314

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 1 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
MIMD10A-7-F
Diodes Incorporated

MIMD10A-7-F

جزء الأسهم: 156616

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 Ohms, 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA142JU-7-F
Diodes Incorporated

DDA142JU-7-F

جزء الأسهم: 108259

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 470 Ohms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA142JH-7
Diodes Incorporated

DDA142JH-7

جزء الأسهم: 123057

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 470 Ohms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA114EU-7-F
Diodes Incorporated

DDA114EU-7-F

جزء الأسهم: 126118

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDC143TH-7
Diodes Incorporated

DDC143TH-7

جزء الأسهم: 153047

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDC123JU-7
Diodes Incorporated

DDC123JU-7

جزء الأسهم: 1526

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
UMC4N-7
Diodes Incorporated

UMC4N-7

جزء الأسهم: 153418

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDC122LH-7
Diodes Incorporated

DDC122LH-7

جزء الأسهم: 188923

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 220 Ohms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA122TH-7
Diodes Incorporated

DDA122TH-7

جزء الأسهم: 153892

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 220 Ohms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA114EH-7
Diodes Incorporated

DDA114EH-7

جزء الأسهم: 143085

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
EMF21-7
Diodes Incorporated

EMF21-7

جزء الأسهم: 1520

نوع الترانزستور: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, 12V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

قائمة الرغبات
DCX114EH-7
Diodes Incorporated

DCX114EH-7

جزء الأسهم: 121977

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA114YH-7
Diodes Incorporated

DDA114YH-7

جزء الأسهم: 189792

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DCX122LH-7
Diodes Incorporated

DCX122LH-7

جزء الأسهم: 183456

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 220 Ohms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DEMD48-7
Diodes Incorporated

DEMD48-7

جزء الأسهم: 178699

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA143TK-7-F
Diodes Incorporated

DDA143TK-7-F

جزء الأسهم: 134768

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA114TU-7
Diodes Incorporated

DDA114TU-7

جزء الأسهم: 1452

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DCX114TK-7-F
Diodes Incorporated

DCX114TK-7-F

جزء الأسهم: 196231

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DDA144EU-7
Diodes Incorporated

DDA144EU-7

جزء الأسهم: 1379

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات