Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

DMN3110S-7
Diodes Incorporated

DMN3110S-7

جزء الأسهم: 173400

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 73 mOhm @ 3.1mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMN1054UCB4-7
Diodes Incorporated

DMN1054UCB4-7

جزء الأسهم: 125297

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
ZXMN2A01E6TA
Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TA

جزء الأسهم: 174722

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP6110SFDF-7
Diodes Incorporated

DMP6110SFDF-7

جزء الأسهم: 125687

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN53D0LW-7
Diodes Incorporated

DMN53D0LW-7

جزء الأسهم: 181488

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 360mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 270mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMN10H170SFG-13
Diodes Incorporated

DMN10H170SFG-13

جزء الأسهم: 103511

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 122 mOhm @ 3.3A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN10H170SFDE-7
Diodes Incorporated

DMN10H170SFDE-7

جزء الأسهم: 195132

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN6013LFGQ-13
Diodes Incorporated

DMN6013LFGQ-13

جزء الأسهم: 136532

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.3A (Ta), 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP2035UFCL-7
Diodes Incorporated

DMP2035UFCL-7

جزء الأسهم: 157838

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN2013UFDE-7
Diodes Incorporated

DMN2013UFDE-7

جزء الأسهم: 105872

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN61D9UWQ-7
Diodes Incorporated

DMN61D9UWQ-7

جزء الأسهم: 9995

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 400mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
DMN3042LFDF-7
Diodes Incorporated

DMN3042LFDF-7

جزء الأسهم: 199263

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN3115UDM-7
Diodes Incorporated

DMN3115UDM-7

جزء الأسهم: 165079

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DI9400T
Diodes Incorporated

DI9400T

جزء الأسهم: 1448

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN6140LQ-7
Diodes Incorporated

DMN6140LQ-7

جزء الأسهم: 196295

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 1.8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP1245UFCL-7
Diodes Incorporated

DMP1245UFCL-7

جزء الأسهم: 141543

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated

DMG6968UQ-7

جزء الأسهم: 172708

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP21D0UFD-7
Diodes Incorporated

DMP21D0UFD-7

جزء الأسهم: 162281

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 820mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 495 mOhm @ 800mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
ZXMN3A04KTC
Diodes Incorporated

ZXMN3A04KTC

جزء الأسهم: 1448

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN67D8LW-7
Diodes Incorporated

DMN67D8LW-7

جزء الأسهم: 158207

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMN1019USN-7
Diodes Incorporated

DMN1019USN-7

جزء الأسهم: 163598

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP2035UFDF-7
Diodes Incorporated

DMP2035UFDF-7

جزء الأسهم: 103231

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN3009SFG-13
Diodes Incorporated

DMN3009SFG-13

جزء الأسهم: 116225

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Ta), 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMP6A17GQTA
Diodes Incorporated

ZXMP6A17GQTA

جزء الأسهم: 164284

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN55D0UTQ-7
Diodes Incorporated

DMN55D0UTQ-7

جزء الأسهم: 106166

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 100mA, 4V,

قائمة الرغبات
DMG1013TQ-7
Diodes Incorporated

DMG1013TQ-7

جزء الأسهم: 104017

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 460mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 350mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN2011UFDE-7
Diodes Incorporated

DMN2011UFDE-7

جزء الأسهم: 141417

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
ZXMN2B03E6TA
Diodes Incorporated

ZXMN2B03E6TA

جزء الأسهم: 156010

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP2012SN-7
Diodes Incorporated

DMP2012SN-7

جزء الأسهم: 9937

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 700mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMG2301U-7
Diodes Incorporated

DMG2301U-7

جزء الأسهم: 135955

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN2100UDM-7
Diodes Incorporated

DMN2100UDM-7

جزء الأسهم: 197324

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP2040UFDF-7
Diodes Incorporated

DMP2040UFDF-7

جزء الأسهم: 141471

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMG3407SSN-7
Diodes Incorporated

DMG3407SSN-7

جزء الأسهم: 135683

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.1A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN53D0L-7
Diodes Incorporated

DMN53D0L-7

جزء الأسهم: 170335

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated

DMN1045UFR4-7

جزء الأسهم: 180659

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMG4468LFG-7
Diodes Incorporated

DMG4468LFG-7

جزء الأسهم: 112053

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.62A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 11.6A, 10V,

قائمة الرغبات