Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

DMT10H015LCG-7
Diodes Incorporated

DMT10H015LCG-7

جزء الأسهم: 176205

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.4A (Ta), 34A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP2066LDMQ-7
Diodes Incorporated

DMP2066LDMQ-7

جزء الأسهم: 129269

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN1004UFDF-13
Diodes Incorporated

DMN1004UFDF-13

جزء الأسهم: 219

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN3025LFG-7
Diodes Incorporated

DMN3025LFG-7

جزء الأسهم: 167612

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMG7401SFG-13
Diodes Incorporated

DMG7401SFG-13

جزء الأسهم: 150340

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 12A, 20V,

قائمة الرغبات
DMP2021UFDE-7
Diodes Incorporated

DMP2021UFDE-7

جزء الأسهم: 124820

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN3025LFG-13
Diodes Incorporated

DMN3025LFG-13

جزء الأسهم: 156426

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN4010LFG-13
Diodes Incorporated

DMN4010LFG-13

جزء الأسهم: 132236

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
DMT2004UFDF-13
Diodes Incorporated

DMT2004UFDF-13

جزء الأسهم: 165749

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP3018SFK-13
Diodes Incorporated

DMP3018SFK-13

جزء الأسهم: 154411

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP3036SFG-13
Diodes Incorporated

DMP3036SFG-13

جزء الأسهم: 123244

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN6013LFG-7
Diodes Incorporated

DMN6013LFG-7

جزء الأسهم: 134023

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.3A (Ta), 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
DMPH4015SK3-13
Diodes Incorporated

DMPH4015SK3-13

جزء الأسهم: 164006

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMG7401SFG-7
Diodes Incorporated

DMG7401SFG-7

جزء الأسهم: 191904

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 12A, 20V,

قائمة الرغبات
DMP2010UFG-13
Diodes Incorporated

DMP2010UFG-13

جزء الأسهم: 118346

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.7A (Ta), 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP2023UFDF-13
Diodes Incorporated

DMP2023UFDF-13

جزء الأسهم: 102828

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP6050SFG-7
Diodes Incorporated

DMP6050SFG-7

جزء الأسهم: 181209

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP25H18DLFDE-7
Diodes Incorporated

DMP25H18DLFDE-7

جزء الأسهم: 118923

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 260mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMPH3010LK3-13
Diodes Incorporated

DMPH3010LK3-13

جزء الأسهم: 191392

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN4020LFDE-13
Diodes Incorporated

DMN4020LFDE-13

جزء الأسهم: 124437

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN3008SFGQ-7
Diodes Incorporated

DMN3008SFGQ-7

جزء الأسهم: 181227

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17.6A (Ta), 62A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 13.5A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP3035SFG-7
Diodes Incorporated

DMP3035SFG-7

جزء الأسهم: 141579

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN2028UFDF-13
Diodes Incorporated

DMN2028UFDF-13

جزء الأسهم: 157372

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMG4N65CTI
Diodes Incorporated

DMG4N65CTI

جزء الأسهم: 74019

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN6040SVTQ-13
Diodes Incorporated

DMN6040SVTQ-13

جزء الأسهم: 136899

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 4.3A, 10V,

قائمة الرغبات
DMTH3002LPS-13
Diodes Incorporated

DMTH3002LPS-13

جزء الأسهم: 135924

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
DMTH6010LPSQ-13
Diodes Incorporated

DMTH6010LPSQ-13

جزء الأسهم: 116038

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.5A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
DMTH4005SPS-13
Diodes Incorporated

DMTH4005SPS-13

جزء الأسهم: 158546

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.9A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
DMG2301L-13
Diodes Incorporated

DMG2301L-13

جزء الأسهم: 148665

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN2026UVT-13
Diodes Incorporated

DMN2026UVT-13

جزء الأسهم: 134578

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN10H170SVTQ-13
Diodes Incorporated

DMN10H170SVTQ-13

جزء الأسهم: 134895

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
DMTH6005LPSQ-13
Diodes Incorporated

DMTH6005LPSQ-13

جزء الأسهم: 104297

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.6A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN67D7L-13
Diodes Incorporated

DMN67D7L-13

جزء الأسهم: 289

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 210mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMG2302UK-13
Diodes Incorporated

DMG2302UK-13

جزء الأسهم: 105644

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMTH6004LPSQ-13
Diodes Incorporated

DMTH6004LPSQ-13

جزء الأسهم: 89420

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
DMT10H015LPS-13
Diodes Incorporated

DMT10H015LPS-13

جزء الأسهم: 156954

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Ta), 44A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات