ذاكرة | الدوائر المتكاملة (المرحلية) | 100

S26KS512SDPBHA020

جزء الأسهم: 5115

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: FLASH, تقنية: FLASH - NOR, حجم الذاكرة: 512Mb (64M x 8), تردد الساعة: 166MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1514V18-167BZC

جزء الأسهم: 4016

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Synchronous, QDR II, حجم الذاكرة: 72Mb (2M x 36), تردد الساعة: 167MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

STK14C88-NF35I

جزء الأسهم: 5726

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: NVSRAM, تقنية: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), حجم الذاكرة: 256Kb (32K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 35ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

S26KS512SDGBHA030

جزء الأسهم: 4341

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: FLASH, تقنية: FLASH - NOR, حجم الذاكرة: 512Mb (64M x 8), تردد الساعة: 133MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY14B101L-SP35XIT

جزء الأسهم: 1123

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: NVSRAM, تقنية: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), حجم الذاكرة: 1Mb (128K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 35ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

STK11C68-SF35ITR

جزء الأسهم: 5570

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: NVSRAM, تقنية: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), حجم الذاكرة: 64Kb (8K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 35ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY62147DV30L-55ZSXE

جزء الأسهم: 3368

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Asynchronous, حجم الذاكرة: 4Mb (256K x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 55ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

S26KS512SDABHA030

جزء الأسهم: 4761

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: FLASH, تقنية: FLASH - NOR, حجم الذاكرة: 512Mb (64M x 8), تردد الساعة: 100MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1515AV18-200BZXI

جزء الأسهم: 4482

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Synchronous, QDR II, حجم الذاكرة: 72Mb (2M x 36), تردد الساعة: 200MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY62168GE30-45BVXIT

جزء الأسهم: 5773

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Asynchronous, حجم الذاكرة: 16Mb (2M x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

S70FL01GSAGMFI011

جزء الأسهم: 4744

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: FLASH, تقنية: FLASH - NOR, حجم الذاكرة: 1Gb (128M x 8), تردد الساعة: 133MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

STK12C68-SF25TR

جزء الأسهم: 5599

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: NVSRAM, تقنية: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), حجم الذاكرة: 64Kb (8K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 25ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

STK22C48-SF25ITR

جزء الأسهم: 5888

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: NVSRAM, تقنية: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), حجم الذاكرة: 16Kb (2K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 25ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1320BV18-250BZI

جزء الأسهم: 3669

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Synchronous, DDR II, حجم الذاكرة: 18Mb (512K x 36), تردد الساعة: 250MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

S71KL512SC0BHB000

جزء الأسهم: 6936

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: FLASH, RAM, تقنية: FLASH, DRAM, حجم الذاكرة: 512Mbit Flash, 64Mbit RAM, تردد الساعة: 100MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY62167GE30-45BV1XIT

جزء الأسهم: 5789

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Asynchronous, حجم الذاكرة: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY62147EV30LL-55ZSXE

جزء الأسهم: 3379

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Asynchronous, حجم الذاكرة: 4Mb (256K x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 55ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1460AV33-250AXI

جزء الأسهم: 4426

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Synchronous, حجم الذاكرة: 36Mb (1M x 36), تردد الساعة: 250MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

S34ML08G201TFI000

جزء الأسهم: 4292

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: FLASH, تقنية: FLASH - NAND, حجم الذاكرة: 8Gb (1G x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 25ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY62167G-45BVXIT

جزء الأسهم: 5839

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Asynchronous, حجم الذاكرة: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY14B256L-SZ35XIT

جزء الأسهم: 1251

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: NVSRAM, تقنية: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), حجم الذاكرة: 256Kb (32K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 35ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY14E256L-SZ25XC

جزء الأسهم: 4497

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: NVSRAM, تقنية: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), حجم الذاكرة: 256Kb (32K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 25ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY7C192-15VXC

جزء الأسهم: 4157

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Asynchronous, حجم الذاكرة: 256Kb (64K x 4), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 15ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1312BV18-200BZI

جزء الأسهم: 2390

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Synchronous, QDR II, حجم الذاكرة: 18Mb (1M x 18), تردد الساعة: 200MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1352G-133AXI

جزء الأسهم: 2389

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Synchronous, حجم الذاكرة: 4.5Mb (256K x 18), تردد الساعة: 133MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

FM18W08-SGTR

جزء الأسهم: 5812

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: FRAM, تقنية: FRAM (Ferroelectric RAM), حجم الذاكرة: 256Kb (32K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 130ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

S70FL01GSAGMFI010

جزء الأسهم: 4753

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: FLASH, تقنية: FLASH - NOR, حجم الذاكرة: 1Gb (128M x 8), تردد الساعة: 133MHz,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY62138FLL-45ZSXI

جزء الأسهم: 2142

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Asynchronous, حجم الذاكرة: 2Mb (256K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY62168G30-45BVXIT

جزء الأسهم: 5751

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Asynchronous, حجم الذاكرة: 16Mb (2M x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Cypress Semiconductor Corp

CY62128BNLL-70ZXA

جزء الأسهم: 3320

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM - Asynchronous, حجم الذاكرة: 1Mb (128K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,