الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

2N5139

جزء الأسهم: 7046

2N4250A

جزء الأسهم: 6987

نوع الترانزستور: PNP, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100µA, 5V,

2N4916

جزء الأسهم: 7036

نوع الترانزستور: PNP, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 70 @ 10mA, 1V,

2N4250

جزء الأسهم: 6992

نوع الترانزستور: PNP, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 10mA, 5V,

2N3690

جزء الأسهم: 6999

2N3646

جزء الأسهم: 7071

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

2N3640

جزء الأسهم: 7038

نوع الترانزستور: PNP, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

2N3565

جزء الأسهم: 7032

2N3563

جزء الأسهم: 7012

نوع الترانزستور: NPN, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 8mA, 10V,

2N3564

جزء الأسهم: 7011

نوع الترانزستور: NPN, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 2mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 15mA, 10V,

2N4013

جزء الأسهم: 27317

نوع الترانزستور: NPN, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1.7µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 100mA, 1V,

2N3117

جزء الأسهم: 18319

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 10µA, 5V,

2N4036 W/GOLD

جزء الأسهم: 6898

2N4033 W/GOLD

جزء الأسهم: 6923

2N2907A W/GOLD

جزء الأسهم: 6895

2N5194

جزء الأسهم: 6960

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.4V @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 1.5A, 2V,

2N5195 SL H

جزء الأسهم: 6970

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.4V @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N5192R

جزء الأسهم: 6917

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.4V @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N5192 SL H

جزء الأسهم: 6944

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.4V @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N2484

جزء الأسهم: 18390

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10µA, 5V,

2N1711

جزء الأسهم: 34721

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N3250

جزء الأسهم: 37068

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 1V,

2N3417 APM

جزء الأسهم: 141501

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

2N3393

جزء الأسهم: 9170

نوع الترانزستور: NPN, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 90 @ 2mA, 4.5V,

2N4126

جزء الأسهم: 166458

نوع الترانزستور: PNP, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 1V,

2N3964

جزء الأسهم: 21929

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 1mA, 5V,

2N3392

جزء الأسهم: 9947

نوع الترانزستور: NPN, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 2mA, 4.5V,

2N5210

جزء الأسهم: 162819

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100µA, 5V,

2N4033

جزء الأسهم: 34787

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 5V,

2N3708

جزء الأسهم: 128471

نوع الترانزستور: NPN, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 45 @ 1mA, 5V,

2N3417

جزء الأسهم: 12201

نوع الترانزستور: NPN, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

2N3440

جزء الأسهم: 32876

نوع الترانزستور: NPN, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 250V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 20mA, 10V,

2N2369A

جزء الأسهم: 32929

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 400nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 10mA, 350mV,

2N3905

جزء الأسهم: 128544

نوع الترانزستور: PNP, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 1V,

2N2219A

جزء الأسهم: 32882

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N3702

جزء الأسهم: 14039

نوع الترانزستور: PNP, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 50µA, 5V,