مجسات بصرية - عاكسة - خرج تناظري

TCRT1000

جزء الأسهم: 58154

الاستشعار عن بعد: 0.157" (4mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 32V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

TCRT5000L

جزء الأسهم: 58186

الاستشعار عن بعد: 0.591" (15mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB746WZ

جزء الأسهم: 4366

الاستشعار عن بعد: 0.300" (7.62mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 40mA, نوع الإخراج: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB704

جزء الأسهم: 30593

الاستشعار عن بعد: 0.149" (3.8mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 40mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB70DWZ

جزء الأسهم: 16552

الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 40mA, نوع الإخراج: Transistor,

OPB607C

جزء الأسهم: 65767

الاستشعار عن بعد: 0.050" (1.27mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 125mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Photodarlington,

OPB730F

جزء الأسهم: 9297

الاستشعار عن بعد: 0.250" (6.35mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Photodarlington,

OPB705WZ

جزء الأسهم: 21773

الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 40mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB732W

جزء الأسهم: 2761

الاستشعار عن بعد: 3" (76.2mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB606B

جزء الأسهم: 71504

الاستشعار عن بعد: 0.050" (1.27mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB609GU

جزء الأسهم: 2766

طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB742WZ

جزء الأسهم: 21355

الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 40mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB741

جزء الأسهم: 31506

الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 40mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB744

جزء الأسهم: 27479

الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 40mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB700ALZ

جزء الأسهم: 8398

الاستشعار عن بعد: 0.200" (5.08mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 24V, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 100mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB755T

جزء الأسهم: 2758

الاستشعار عن بعد: 0.220" (5.59mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 24V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

OPB710

جزء الأسهم: 9045

الاستشعار عن بعد: 0.250" (6.35mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

QRB1113

جزء الأسهم: 2703

الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

QRB1114

جزء الأسهم: 2747

الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

QRC1133

جزء الأسهم: 2700

الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

ITR20001/T

جزء الأسهم: 146389

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

ITR8307/L24/TR8

جزء الأسهم: 160874

الاستشعار عن بعد: 0.039" (1mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

EAITRCA8

جزء الأسهم: 140638

طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 35V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

ITR8307/F43

جزء الأسهم: 144812

الاستشعار عن بعد: 0.039" (1mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

SFH 9202-2/3-Z

جزء الأسهم: 2766

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

SFH 9201-Z

جزء الأسهم: 2734

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

CNB10112

جزء الأسهم: 2697

الاستشعار عن بعد: 0.039" (1mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 35V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 30mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

HBCS-1100

جزء الأسهم: 2727

الاستشعار عن بعد: 0.168" (4.27mm), طريقة الاستشعار: Reflective, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

LTH-1550-06

جزء الأسهم: 2713

طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

EE-SY110

جزء الأسهم: 15782

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

EE-SF5

جزء الأسهم: 2766

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

Z4D-A03

جزء الأسهم: 2778

HOA1406-001

جزء الأسهم: 2499

الاستشعار عن بعد: 0.120" (3.05mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,

RPR-220

جزء الأسهم: 39202

الاستشعار عن بعد: 0.236" (6mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 30mA, نوع الإخراج: Phototransistor,