المستشعرات الضوئية - المقاطع الضوئية - نوع الفتحة

RPI-125

جزء الأسهم: 161723

الاستشعار عن بعد: 0.047" (1.2mm), تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

RPI-221

جزء الأسهم: 66659

الاستشعار عن بعد: 0.091" (2.3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB825A

جزء الأسهم: 44730

الاستشعار عن بعد: 0.160" (4.06mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB841W51Z

جزء الأسهم: 16119

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB380P55Z

جزء الأسهم: 17965

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB891T55Z

جزء الأسهم: 20138

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB831W55Z

جزء الأسهم: 18888

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB870N11

جزء الأسهم: 30559

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB390L51Z

جزء الأسهم: 17983

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB828A

جزء الأسهم: 42120

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB812L55

جزء الأسهم: 36294

الاستشعار عن بعد: 0.375" (9.53mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB370T11

جزء الأسهم: 32668

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB370N55

جزء الأسهم: 32266

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB360P11

جزء الأسهم: 30133

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB390P55Z

جزء الأسهم: 18658

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB365N51

جزء الأسهم: 28645

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB365N55

جزء الأسهم: 28746

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB875N51

جزء الأسهم: 38656

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPS692

جزء الأسهم: 55522

طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB830L11

جزء الأسهم: 25461

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB810L55

جزء الأسهم: 33924

الاستشعار عن بعد: 0.375" (9.53mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB420AZ

جزء الأسهم: 16085

طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 20mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB375T11

جزء الأسهم: 32901

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB871N55

جزء الأسهم: 35434

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

EE-SX1137

جزء الأسهم: 26619

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

EE-SA103

جزء الأسهم: 46470

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

EE-SV3-DS

جزء الأسهم: 9640

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

TCPT1600X01

جزء الأسهم: 91321

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 25mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

TCST2202

جزء الأسهم: 39429

الاستشعار عن بعد: 0.122" (3.1mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V,

HOA1881-012

جزء الأسهم: 8389

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA0881-T55

جزء الأسهم: 7384

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA0865-T55

جزء الأسهم: 10211

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA1879-012

جزء الأسهم: 9273

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA1877-001

جزء الأسهم: 6531

الاستشعار عن بعد: 0.375" (9.52mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

E4TT-MM4A-CS3M020

جزء الأسهم: 613

EE-SX977P-C1

جزء الأسهم: 1858

الاستشعار عن بعد: 0.020" (0.5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,