يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع الترانزستور | NPN - Pre-Biased |
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 100mA |
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 50V |
المقاوم - القاعدة (R1) | 4.7 kOhms |
المقاوم - قاعدة الباعث (R2) | 4.7 kOhms |
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 1µA |
التردد - الانتقال | 230MHz |
أقصى القوة | 280mW |
نوع التركيب | Surface Mount |
العبوة / العلبة | 3-XDFN Exposed Pad |
حزمة جهاز المورد | DFN1010D-3 |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |