| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع الترانزستور | NPN |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 800mA |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 50V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 10µA (ICBO) |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | - |
| أقصى القوة | 500mW |
| التردد - الانتقال | - |
| درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 3-SMD, No Lead |
| حزمة جهاز المورد | 3-SMD |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
