| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Obsolete |
|---|---|
| نوع FET | 2 N-Channel (Dual) |
| ميزة FET | Logic Level Gate |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 20V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 8.7A |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| أقصى القوة | 800mW |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 6-WFDFN Exposed Pad |
| حزمة جهاز المورد | 6-MicroFET (2x5) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
